货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.645177 | ¥5.65 |
10 | ¥4.17743 | ¥41.77 |
100 | ¥2.363071 | ¥236.31 |
500 | ¥1.564843 | ¥782.42 |
1000 | ¥1.199713 | ¥1199.71 |
2000 | ¥1.043228 | ¥2086.46 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 160 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.65 mm
长度 1.7 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
零件号别名 RW1A025AP
单位重量 3 mg
购物车
0RW1A025APT2CR
型号:RW1A025APT2CR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.645177 |
10+: | ¥4.17743 |
100+: | ¥2.363071 |
500+: | ¥1.564843 |
1000+: | ¥1.199713 |
2000+: | ¥1.043228 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.65