搜索

IRF630NSTRLPBF

INFINEON(英飞凌)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
IRF630NSTRLPBF
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:800

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
800 4.885882 3908.71
1600 3.98002 6368.03
2400 3.746697 8992.07
5600 3.568303 19982.50
20000 3.403588 68071.76

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon / IR

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 9.3 A

漏源电阻 300 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 23.3 nC

耗散功率 82 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

正向跨导(Min) 4.9 S

上升时间 14 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 27 ns

典型接通延迟时间 7.9 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IRF630NSTRLPBF SP001564548

单位重量 4 g

IRF630NSTRLPBF 相关产品

IRF630NSTRLPBF品牌厂家:INFINEON ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IRF630NSTRLPBF、查询IRF630NSTRLPBF代理商; IRF630NSTRLPBF价格批发咨询客服;这里拥有 IRF630NSTRLPBF中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到IRF630NSTRLPBF 替代型号 、IRF630NSTRLPBF 数据手册PDF

购物车

IRF630NSTRLPBF

锐单logo

型号:IRF630NSTRLPBF

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

800+: ¥4.885882
1600+: ¥3.98002
2400+: ¥3.746697
5600+: ¥3.568303
20000+: ¥3.403588

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00