
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥4.556594 | ¥1139.15 |
| 500 | ¥4.02679 | ¥2013.39 |
| 1000 | ¥3.178999 | ¥3179.00 |
| 2000 | ¥3.082666 | ¥6165.33 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 19.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CSD25310Q2T
型号:CSD25310Q2T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥4.556594 |
| 500+: | ¥4.02679 |
| 1000+: | ¥3.178999 |
| 2000+: | ¥3.082666 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00