货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥81.938978 | ¥81.94 |
30 | ¥65.414257 | ¥1962.43 |
120 | ¥58.52778 | ¥7023.33 |
510 | ¥51.642024 | ¥26337.43 |
1020 | ¥46.47785 | ¥47407.41 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 49.2 A
漏源电阻 57 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 185 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 270 ns
典型接通延迟时间 170 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK49N65W5,S1F
型号:TK49N65W5,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥81.938978 |
30+: | ¥65.414257 |
120+: | ¥58.52778 |
510+: | ¥51.642024 |
1020+: | ¥46.47785 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥81.94