
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥40.751752 | ¥40.75 |
| 10 | ¥36.663598 | ¥366.64 |
| 100 | ¥29.467151 | ¥2946.72 |
| 500 | ¥24.210175 | ¥12105.09 |
| 1000 | ¥20.174974 | ¥20174.97 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 54 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD068N10N3 G SP001127816
单位重量 4 g
购物车
0IPD068N10N3GATMA1
型号:IPD068N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥40.751752 |
| 10+: | ¥36.663598 |
| 100+: | ¥29.467151 |
| 500+: | ¥24.210175 |
| 1000+: | ¥20.174974 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.75