
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.496104 | ¥7.50 |
| 10 | ¥5.078993 | ¥50.79 |
| 100 | ¥3.439029 | ¥343.90 |
| 500 | ¥2.686053 | ¥1343.03 |
| 1000 | ¥2.436387 | ¥2436.39 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 600 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002E-GE3
单位重量 8 mg
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02N7002E-T1-GE3
型号:2N7002E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.496104 |
| 10+: | ¥5.078993 |
| 100+: | ¥3.439029 |
| 500+: | ¥2.686053 |
| 1000+: | ¥2.436387 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.50