搜索

2N7002E-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
2N7002E-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
渠道:
digikey

库存 :15485

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.984288 4.98
10 4.236644 42.37
100 2.944469 294.45
500 2.299253 1149.63
1000 1.868858 1868.86

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 240 mA

漏源电阻 3 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 600 pC

耗散功率 350 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

正向跨导(Min) 600 mS

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 2N7002E-GE3

单位重量 8 mg

2N7002E-T1-GE3 相关产品

2N7002E-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购2N7002E-T1-GE3、查询2N7002E-T1-GE3代理商; 2N7002E-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 2N7002E-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到2N7002E-T1-GE3 替代型号 、2N7002E-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

2N7002E-T1-GE3

锐单logo

型号:2N7002E-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:15485 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥4.984288
10+: ¥4.236644
100+: ¥2.944469
500+: ¥2.299253
1000+: ¥1.868858

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.98