货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.984288 | ¥4.98 |
10 | ¥4.236644 | ¥42.37 |
100 | ¥2.944469 | ¥294.45 |
500 | ¥2.299253 | ¥1149.63 |
1000 | ¥1.868858 | ¥1868.86 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 240 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 600 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002E-GE3
单位重量 8 mg
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02N7002E-T1-GE3
型号:2N7002E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.984288 |
10+: | ¥4.236644 |
100+: | ¥2.944469 |
500+: | ¥2.299253 |
1000+: | ¥1.868858 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.98