货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.828381 | ¥14.83 |
10 | ¥13.211844 | ¥132.12 |
100 | ¥10.302078 | ¥1030.21 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 19.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0CSD25310Q2T
型号:CSD25310Q2T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.828381 |
10+: | ¥13.211844 |
100+: | ¥10.302078 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.83