
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥108.945104 | ¥108.95 |
| 10 | ¥98.404771 | ¥984.05 |
| 25 | ¥93.82596 | ¥2345.65 |
| 100 | ¥77.808621 | ¥7780.86 |
| 250 | ¥73.231511 | ¥18307.88 |
| 500 | ¥68.654683 | ¥34327.34 |
| 1000 | ¥61.789158 | ¥61789.16 |
| 2500 | ¥59.500603 | ¥148751.51 |
| 5000 | ¥56.29671 | ¥281483.55 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R099CP SP000067147
单位重量 6 g
购物车
0IPW60R099CPFKSA1
型号:IPW60R099CPFKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥108.945104 |
| 10+: | ¥98.404771 |
| 25+: | ¥93.82596 |
| 100+: | ¥77.808621 |
| 250+: | ¥73.231511 |
| 500+: | ¥68.654683 |
| 1000+: | ¥61.789158 |
| 2500+: | ¥59.500603 |
| 5000+: | ¥56.29671 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥108.95