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IPD068N10N3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD068N10N3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 90A
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 35.542145 35.54
10 31.976611 319.77
100 25.700141 2570.01
500 21.115205 10557.60
1000 17.595853 17595.85

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 90 A

漏源电阻 6.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 51 nC

耗散功率 150 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

正向跨导(Min) 54 S

上升时间 37 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 37 ns

典型接通延迟时间 19 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD068N10N3 G SP001127816

单位重量 4 g

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IPD068N10N3GATMA1

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型号:IPD068N10N3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥35.542145
10+: ¥31.976611
100+: ¥25.700141
500+: ¥21.115205
1000+: ¥17.595853

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥35.54