货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥35.542145 | ¥35.54 |
10 | ¥31.976611 | ¥319.77 |
100 | ¥25.700141 | ¥2570.01 |
500 | ¥21.115205 | ¥10557.60 |
1000 | ¥17.595853 | ¥17595.85 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 54 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD068N10N3 G SP001127816
单位重量 4 g
购物车
0IPD068N10N3GATMA1
型号:IPD068N10N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥35.542145 |
10+: | ¥31.976611 |
100+: | ¥25.700141 |
500+: | ¥21.115205 |
1000+: | ¥17.595853 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.54