
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.145089 | ¥22.15 |
| 10 | ¥18.101825 | ¥181.02 |
| 100 | ¥14.078563 | ¥1407.86 |
| 500 | ¥11.933489 | ¥5966.74 |
| 1000 | ¥9.721123 | ¥9721.12 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR3411TRPBF SP001564934
单位重量 330 mg
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0IRFR3411TRPBF
型号:IRFR3411TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.145089 |
| 10+: | ¥18.101825 |
| 100+: | ¥14.078563 |
| 500+: | ¥11.933489 |
| 1000+: | ¥9.721123 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.15