货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.314114 | ¥19.31 |
10 | ¥15.78773 | ¥157.88 |
100 | ¥12.278792 | ¥1227.88 |
500 | ¥10.407941 | ¥5203.97 |
1000 | ¥8.478398 | ¥8478.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 44 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR3411TRPBF SP001564934
单位重量 330 mg
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0IRFR3411TRPBF
型号:IRFR3411TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.314114 |
10+: | ¥15.78773 |
100+: | ¥12.278792 |
500+: | ¥10.407941 |
1000+: | ¥8.478398 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.31