货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.603142 | ¥12.60 |
10 | ¥11.058638 | ¥110.59 |
100 | ¥8.476231 | ¥847.62 |
500 | ¥6.70067 | ¥3350.34 |
1000 | ¥5.360536 | ¥5360.54 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 52 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 19.8 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SIS862ADN-T1-GE3
型号:SIS862ADN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.603142 |
10+: | ¥11.058638 |
100+: | ¥8.476231 |
500+: | ¥6.70067 |
1000+: | ¥5.360536 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.60