STF10N60DM2
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- 制造商编号：
- STF10N60DM2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
- 渠道：
- digikey
库存 ：1382
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.859649 | ￥24.86 |
| 50 | ￥19.947726 | ￥997.39 |
| 100 | ￥16.413083 | ￥1641.31 |
| 500 | ￥13.887972 | ￥6943.99 |
| 1000 | ￥11.783902 | ￥11783.90 |
| 2000 | ￥11.194702 | ￥22389.40 |
| 5000 | ￥10.773801 | ￥53869.01 |
| 10000 | ￥10.417194 | ￥104171.94 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STF10N60DM2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
530mOhm @ 4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
15nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
529pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
STF10N60DM2 同类别型号
注
STF10N60DM2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STF10N60DM2
数据手册PDF。
STF10N60DM2
型号：STF10N60DM2
品牌：ST
供货：锐单
库存：1382 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.859649 |
| 50+： | ￥19.947726 |
| 100+： | ￥16.413083 |
| 500+： | ￥13.887972 |
| 1000+： | ￥11.783902 |
| 2000+： | ￥11.194702 |
| 5000+： | ￥10.773801 |
| 10000+： | ￥10.417194 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.86