STP7LN80K5
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STP7LN80K5
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：1558
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.371731 | ￥16.37 |
| 10 | ￥14.734559 | ￥147.35 |
| 25 | ￥13.900526 | ￥347.51 |
| 100 | ￥10.84241 | ￥1084.24 |
| 250 | ￥10.5644 | ￥2641.10 |
| 500 | ￥9.174348 | ￥4587.17 |
| 1000 | ￥7.784294 | ￥7784.29 |
| 2500 | ￥7.67309 | ￥19182.73 |
| 5000 | ￥7.117069 | ￥35585.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP7LN80K5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
包装
Tube
系列
MDmesh™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.15Ohm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
270pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP7LN80K5 同类别型号
注
STP7LN80K5品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STP7LN80K5、查询STP7LN80K5代理商；
STP7LN80K5价格批发咨询客服；这里拥有
STP7LN80K5中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STP7LN80K5
替代型号
、STP7LN80K5
数据手册PDF。
STP7LN80K5
型号：STP7LN80K5
品牌：ST
供货：锐单
库存：1558 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.371731 |
| 10+： | ￥14.734559 |
| 25+： | ￥13.900526 |
| 100+： | ￥10.84241 |
| 250+： | ￥10.5644 |
| 500+： | ￥9.174348 |
| 1000+： | ￥7.784294 |
| 2500+： | ￥7.67309 |
| 5000+： | ￥7.117069 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.37