SI2367DS-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2367DS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.789246 | ￥2367.74 |
| 6000 | ￥0.749102 | ￥4494.61 |
| 9000 | ￥0.695594 | ￥6260.35 |
| 30000 | ￥0.679524 | ￥20385.72 |
| 75000 | ￥0.662218 | ￥49666.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2367DS-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
561pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2367DS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2367DS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2367DS-T1-GE3、查询SI2367DS-T1-GE3代理商；
SI2367DS-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SI2367DS-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SI2367DS-T1-GE3
替代型号
、SI2367DS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2367DS-T1-GE3
型号：SI2367DS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.789246 |
| 6000+： | ￥0.749102 |
| 9000+： | ￥0.695594 |
| 30000+： | ￥0.679524 |
| 75000+： | ￥0.662218 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00