
货期:国内(1~3工作日)
起订量:5
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ¥18.585165 | ¥92.93 |
| 20 | ¥17.036418 | ¥340.73 |
| 50 | ¥16.262045 | ¥813.10 |
| 100 | ¥15.487672 | ¥1548.77 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 53 A
漏源电阻 63 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 170 nC
耗散功率 391 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 83 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R070C6 SP000645060
单位重量 6 g
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0IPW60R070C6FKSA1
型号:IPW60R070C6FKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 5+: | ¥18.585165 |
| 20+: | ¥17.036418 |
| 50+: | ¥16.262045 |
| 100+: | ¥15.487672 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00