
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥5.881273 | ¥17643.82 |
| 6000 | ¥5.66015 | ¥33960.90 |
| 9000 | ¥5.472756 | ¥49254.80 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.6 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 585 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 230 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7137DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7137DP-T1-GE3
型号:SI7137DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥5.881273 |
| 6000+: | ¥5.66015 |
| 9000+: | ¥5.472756 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00