SI2367DS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2367DS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
- 渠道：
- digikey
库存 ：16024
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.705364 | ￥5.71 |
| 10 | ￥4.84956 | ￥48.50 |
| 100 | ￥3.370446 | ￥337.04 |
| 500 | ￥2.631884 | ￥1315.94 |
| 1000 | ￥2.139228 | ￥2139.23 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2367DS-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
66mOhm @ 2.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 8V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
561pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2367DS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2367DS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SI2367DS-T1-GE3
型号：SI2367DS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：16024 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.705364 |
| 10+： | ￥4.84956 |
| 100+： | ￥3.370446 |
| 500+： | ￥2.631884 |
| 1000+： | ￥2.139228 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.71