2SB1132T100R
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.339436 | ￥1.34 |
| 10 | ￥1.00821 | ￥10.08 |
| 30 | ￥0.947281 | ￥28.42 |
| 100 | ￥0.886518 | ￥88.65 |
| 500 | ￥0.859439 | ￥429.72 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 32 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 200 mV
最大直流电集电极电流 - 1 A
耗散功率 500 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 - 1 A
直流集电极 82
直流电流增益（Max） 390
技术 Si
外形参数
高度 1.5 mm
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 130.500 mg
2SB1132T100R 同类别型号
注
2SB1132T100R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、2SB1132T100R
数据手册PDF。
2SB1132T100R
型号：2SB1132T100R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.339436 |
| 10+： | ￥1.00821 |
| 30+： | ￥0.947281 |
| 100+： | ￥0.886518 |
| 500+： | ￥0.859439 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.34