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STD4NK80Z-1

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STD4NK80Z-1
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.584265 13.58
10 12.176668 121.77
100 9.789922 978.99
500 8.043152 4021.58
1000 6.664332 6664.33

规格参数

属性
参数值

制造商型号

STD4NK80Z-1

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

包装

Tube

系列

SuperMESH™

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

3.5Ohm @ 1.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

22.5nC @ 10V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

575pF @ 25V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

80W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

I-PAK

封装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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型号:STD4NK80Z-1

品牌:ST

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