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SI7137DP-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7137DP-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
渠道:
digikey

库存 :13155

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 27.540163 27.54
10 22.89198 228.92
100 18.223862 1822.39
500 15.41975 7709.88
1000 13.083446 13083.45

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 1.6 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.4 V

栅极电荷 585 nC

耗散功率 104 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 72 ns

正向跨导(Min) 95 S

上升时间 14 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 230 ns

典型接通延迟时间 20 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7137DP-GE3

单位重量 506.600 mg

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SI7137DP-T1-GE3

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型号:SI7137DP-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:13155 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥27.540163
10+: ¥22.89198
100+: ¥18.223862
500+: ¥15.41975
1000+: ¥13.083446

货期:7-10天

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