STW65N65DM2AG
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STW65N65DM2AG
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 60A
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥63.148101 | ￥63.15 |
| 30 | ￥50.396607 | ￥1511.90 |
| 120 | ￥45.092049 | ￥5411.05 |
| 510 | ￥39.787196 | ￥20291.47 |
| 1020 | ￥35.808512 | ￥36524.68 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STW65N65DM2AG
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 60A
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
446W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
STW65N65DM2AG 相关产品
STW65N65DM2AG 同类别型号
注
STW65N65DM2AG品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STW65N65DM2AG、查询STW65N65DM2AG代理商；
STW65N65DM2AG价格批发咨询客服；这里拥有
STW65N65DM2AG中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到STW65N65DM2AG
替代型号
、STW65N65DM2AG
数据手册PDF。
STW65N65DM2AG
型号：STW65N65DM2AG
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥63.148101 |
| 30+： | ￥50.396607 |
| 120+： | ￥45.092049 |
| 510+： | ￥39.787196 |
| 1020+： | ￥35.808512 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥63.15