货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥21.788162 | ¥21.79 |
10 | ¥18.115302 | ¥181.15 |
100 | ¥14.418784 | ¥1441.88 |
500 | ¥12.200128 | ¥6100.06 |
1000 | ¥10.351619 | ¥10351.62 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 98 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NTD5862NT4G
型号:NTD5862NT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.788162 |
10+: | ¥18.115302 |
100+: | ¥14.418784 |
500+: | ¥12.200128 |
1000+: | ¥10.351619 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.79