
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.00044 | ¥13.00 |
| 10 | ¥11.220619 | ¥112.21 |
| 100 | ¥7.772406 | ¥777.24 |
| 500 | ¥6.49465 | ¥3247.32 |
| 1000 | ¥5.527354 | ¥5527.35 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 59 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 84.200 mg
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0CSD18514Q5A
型号:CSD18514Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.00044 |
| 10+: | ¥11.220619 |
| 100+: | ¥7.772406 |
| 500+: | ¥6.49465 |
| 1000+: | ¥5.527354 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.00