TSM3N80CH C5G
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- 制造商编号：
- TSM3N80CH C5G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251
- 渠道：
- digikey
库存 ：3723
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.517408 | ￥23.52 |
| 10 | ￥21.179835 | ￥211.80 |
| 25 | ￥19.981296 | ￥499.53 |
| 100 | ￥15.586658 | ￥1558.67 |
| 250 | ￥15.187712 | ￥3796.93 |
| 500 | ￥13.189299 | ￥6594.65 |
| 1000 | ￥11.190886 | ￥11190.89 |
| 2500 | ￥11.031081 | ￥27577.70 |
| 5000 | ￥10.231631 | ￥51158.15 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM3N80CH C5G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.2Ohm @ 1.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
19nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
696pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
封装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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注
TSM3N80CH C5G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TSM3N80CH C5G
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。
TSM3N80CH C5G
型号：TSM3N80CH C5G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：3723 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.517408 |
| 10+： | ￥21.179835 |
| 25+： | ￥19.981296 |
| 100+： | ￥15.586658 |
| 250+： | ￥15.187712 |
| 500+： | ￥13.189299 |
| 1000+： | ￥11.190886 |
| 2500+： | ￥11.031081 |
| 5000+： | ￥10.231631 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.52