货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥87.981035 | ¥87.98 |
10 | ¥80.86638 | ¥808.66 |
100 | ¥68.294268 | ¥6829.43 |
500 | ¥60.752501 | ¥30376.25 |
1000 | ¥55.724781 | ¥55724.78 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 77 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 285 nC
耗散功率 592 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 85 ns
正向跨导(Min) 71 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 320 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCH041N60E
型号:FCH041N60E
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥87.981035 |
10+: | ¥80.86638 |
100+: | ¥68.294268 |
500+: | ¥60.752501 |
1000+: | ¥55.724781 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥87.98