SIHG039N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG039N60E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES 600V TO247AC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥63.093253 | ￥63.09 |
| 25 | ￥50.3616 | ￥1259.04 |
| 100 | ￥45.060472 | ￥4506.05 |
| 500 | ￥39.759226 | ￥19879.61 |
| 1000 | ￥35.783351 | ￥35783.35 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 63 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 94 ns
正向跨导（Min） 17 S
上升时间 126 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 176 ns
典型接通延迟时间 79 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG039N60E-GE3 同类别型号
注
SIHG039N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHG039N60E-GE3
数据手册PDF。
SIHG039N60E-GE3
型号：SIHG039N60E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥63.093253 |
| 25+： | ￥50.3616 |
| 100+： | ￥45.060472 |
| 500+： | ￥39.759226 |
| 1000+： | ￥35.783351 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥63.09