货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥77.163566 | ¥77.16 |
25 | ¥61.59265 | ¥1539.82 |
100 | ¥55.109326 | ¥5510.93 |
500 | ¥48.625859 | ¥24312.93 |
1000 | ¥43.763331 | ¥43763.33 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 63 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 126 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 94 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 126 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 176 ns
典型接通延迟时间 79 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG039N60E-GE3
型号:SIHG039N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥77.163566 |
25+: | ¥61.59265 |
100+: | ¥55.109326 |
500+: | ¥48.625859 |
1000+: | ¥43.763331 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥77.16