
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥62.230753 | ¥62.23 |
| 10 | ¥57.20076 | ¥572.01 |
| 100 | ¥48.306972 | ¥4830.70 |
| 500 | ¥42.972716 | ¥21486.36 |
| 1000 | ¥39.416321 | ¥39416.32 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 49.2 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 160 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 70 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0TK49N65W,S1F
型号:TK49N65W,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥62.230753 |
| 10+: | ¥57.20076 |
| 100+: | ¥48.306972 |
| 500+: | ¥42.972716 |
| 1000+: | ¥39.416321 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥62.23