
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.43609 | ¥11.44 |
| 10 | ¥9.877925 | ¥98.78 |
| 100 | ¥6.834495 | ¥683.45 |
| 500 | ¥5.710899 | ¥2855.45 |
| 1000 | ¥4.860483 | ¥4860.48 |
| 2000 | ¥4.328848 | ¥8657.70 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 18.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 7.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7807ZTRPBF SP001570494
单位重量 540 mg
购物车
0IRF7807ZTRPBF
型号:IRF7807ZTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.43609 |
| 10+: | ¥9.877925 |
| 100+: | ¥6.834495 |
| 500+: | ¥5.710899 |
| 1000+: | ¥4.860483 |
| 2000+: | ¥4.328848 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.44