货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥22.858638 | ¥22.86 |
10 | ¥20.535706 | ¥205.36 |
100 | ¥16.501466 | ¥1650.15 |
500 | ¥13.557521 | ¥6778.76 |
1000 | ¥11.620837 | ¥11620.84 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0SIHD4N80E-GE3
型号:SIHD4N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.858638 |
10+: | ¥20.535706 |
100+: | ¥16.501466 |
500+: | ¥13.557521 |
1000+: | ¥11.620837 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.86