货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥5.428364 | ¥1357.09 |
500 | ¥4.79712 | ¥2398.56 |
1000 | ¥4.016788 | ¥4016.79 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 3.3 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
购物车
0CSD25304W1015T
型号:CSD25304W1015T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥5.428364 |
500+: | ¥4.79712 |
1000+: | ¥4.016788 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00