
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.749062 | ¥2247.19 |
| 6000 | ¥0.703692 | ¥4222.15 |
| 15000 | ¥0.658265 | ¥9873.98 |
| 30000 | ¥0.603798 | ¥18113.94 |
| 75000 | ¥0.581113 | ¥43583.47 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.9 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 1.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1416EDH-T1-BE3 SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-S
单位重量 7.500 mg
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0SI1416EDH-T1-GE3
型号:SI1416EDH-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.749062 |
| 6000+: | ¥0.703692 |
| 15000+: | ¥0.658265 |
| 30000+: | ¥0.603798 |
| 75000+: | ¥0.581113 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00