货期:国内(1~3工作日)
起订量:1700
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1700 | ¥14.1278 | ¥24017.26 |
3400 | ¥13.302852 | ¥45229.70 |
5100 | ¥12.762672 | ¥65089.63 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 95 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 56 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R150G7 SP001632838
单位重量 761.650 mg
购物车
0IPDD60R150G7XTMA1
型号:IPDD60R150G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1700+: | ¥14.1278 |
3400+: | ¥13.302852 |
5100+: | ¥12.762672 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00