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ZXMN6A11GTA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMN6A11GTA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.759816 8.76
10 7.70627 77.06
100 5.911692 591.17
500 4.67348 2336.74

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 4.4 A

漏源电阻 120 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 5.7 nC

耗散功率 3.9 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 4.6 ns

正向跨导(Min) 4.9 S

上升时间 3.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 8.2 ns

典型接通延迟时间 1.95 ns

外形参数

高度 1.65 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 112 mg

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ZXMN6A11GTA

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型号:ZXMN6A11GTA

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥8.759816
10+: ¥7.70627
100+: ¥5.911692
500+: ¥4.67348

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