货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.759816 | ¥8.76 |
10 | ¥7.70627 | ¥77.06 |
100 | ¥5.911692 | ¥591.17 |
500 | ¥4.67348 | ¥2336.74 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.4 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.7 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 4.9 S
上升时间 3.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.2 ns
典型接通延迟时间 1.95 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0ZXMN6A11GTA
型号:ZXMN6A11GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.759816 |
10+: | ¥7.70627 |
100+: | ¥5.911692 |
500+: | ¥4.67348 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.76