FQD3N60CTM-WS
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- 制造商编号：
- FQD3N60CTM-WS
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.599816 | ￥8999.54 |
| 5000 | ￥3.419805 | ￥17099.03 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 3.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQD3N60CTM_WS
单位重量 330 mg
FQD3N60CTM-WS 同类别型号
注
FQD3N60CTM-WS品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQD3N60CTM-WS
数据手册PDF。
FQD3N60CTM-WS
型号：FQD3N60CTM-WS
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.599816 |
| 5000+： | ￥3.419805 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00