货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥94.455134 | ¥94.46 |
10 | ¥83.216623 | ¥832.17 |
100 | ¥71.973809 | ¥7197.38 |
500 | ¥65.225968 | ¥32612.98 |
1000 | ¥59.827968 | ¥59827.97 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 326 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0UF3C065040K3S
型号:UF3C065040K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥94.455134 |
10+: | ¥83.216623 |
100+: | ¥71.973809 |
500+: | ¥65.225968 |
1000+: | ¥59.827968 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥94.46