
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥79.990832 | ¥79.99 |
| 25 | ¥70.583859 | ¥1764.60 |
| 100 | ¥61.176887 | ¥6117.69 |
| 250 | ¥51.848706 | ¥12962.18 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 42 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 326 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C065040K3S
型号:UF3C065040K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥79.990832 |
| 25+: | ¥70.583859 |
| 100+: | ¥61.176887 |
| 250+: | ¥51.848706 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥79.99