STF6N62K3
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- 制造商编号：
- STF6N62K3
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220FP
- 渠道：
- digikey
库存 ：963
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.372822 | ￥26.37 |
| 50 | ￥21.150505 | ￥1057.53 |
| 100 | ￥17.40233 | ￥1740.23 |
| 500 | ￥14.72549 | ￥7362.74 |
| 1000 | ￥12.49425 | ￥12494.25 |
| 2000 | ￥11.869637 | ￥23739.27 |
| 5000 | ￥11.423413 | ￥57117.07 |
| 10000 | ￥11.045237 | ￥110452.37 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STF6N62K3
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220FP
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
620V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.28Ohm @ 2.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
34nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
875pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
STF6N62K3 同类别型号
注
STF6N62K3品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STF6N62K3
数据手册PDF。
STF6N62K3
型号：STF6N62K3
品牌：ST
供货：锐单
库存：963 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.372822 |
| 50+： | ￥21.150505 |
| 100+： | ￥17.40233 |
| 500+： | ￥14.72549 |
| 1000+： | ￥12.49425 |
| 2000+： | ￥11.869637 |
| 5000+： | ￥11.423413 |
| 10000+： | ￥11.045237 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.37