货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.051724 | ¥12.05 |
10 | ¥9.827747 | ¥98.28 |
100 | ¥7.642284 | ¥764.23 |
500 | ¥6.477616 | ¥3238.81 |
1000 | ¥5.276668 | ¥5276.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 3.8 A
漏源电阻 1.05 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7119DN-GE3
单位重量 1 g
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0SI7119DN-T1-GE3
型号:SI7119DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.051724 |
10+: | ¥9.827747 |
100+: | ¥7.642284 |
500+: | ¥6.477616 |
1000+: | ¥5.276668 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.05