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IPD350N06LGBTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD350N06LGBTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 2.735374 6838.44
5000 2.598621 12993.10
12500 2.500907 31261.34
25000 2.422752 60568.80

规格参数

属性
参数值

制造商型号

IPD350N06LGBTMA1

制造商

INFINEON(英飞凌)

商品描述

MOSFET N-CH 60V 29A DPAK

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

OptiMOS™

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

29A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

35mOhm @ 29A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2V @ 28µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

13nC @ 5V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

800pF @ 30V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

68W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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型号:IPD350N06LGBTMA1

品牌:INFINEON

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5000+: ¥2.598621
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