
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥2.357352 | ¥7072.06 |
| 6000 | ¥2.245089 | ¥13470.53 |
| 9000 | ¥2.141493 | ¥19273.44 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 690 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-E3
单位重量 8 mg
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0SI2325DS-T1-E3
型号:SI2325DS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥2.357352 |
| 6000+: | ¥2.245089 |
| 9000+: | ¥2.141493 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00