货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥86.286876 | ¥86.29 |
10 | ¥73.981805 | ¥739.82 |
100 | ¥61.650784 | ¥6165.08 |
500 | ¥54.397641 | ¥27198.82 |
1000 | ¥48.957818 | ¥48957.82 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 84 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 78 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 172 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 152 ns
典型接通延迟时间 109 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG039N60EF-GE3
型号:SIHG039N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥86.286876 |
10+: | ¥73.981805 |
100+: | ¥61.650784 |
500+: | ¥54.397641 |
1000+: | ¥48.957818 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥86.29