货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.973874 | ¥2921.62 |
6000 | ¥0.933396 | ¥5600.38 |
9000 | ¥0.84005 | ¥7560.45 |
30000 | ¥0.827586 | ¥24827.58 |
75000 | ¥0.777795 | ¥58334.63 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 5.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
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0CSD23202W10
型号:CSD23202W10
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.973874 |
6000+: | ¥0.933396 |
9000+: | ¥0.84005 |
30000+: | ¥0.827586 |
75000+: | ¥0.777795 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00