货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.074341 | ¥12.07 |
10 | ¥10.831394 | ¥108.31 |
100 | ¥8.448487 | ¥844.85 |
500 | ¥6.97897 | ¥3489.49 |
1000 | ¥5.509806 | ¥5509.81 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 690 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-E3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2325DS-T1-E3
型号:SI2325DS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.074341 |
10+: | ¥10.831394 |
100+: | ¥8.448487 |
500+: | ¥6.97897 |
1000+: | ¥5.509806 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.07