CSD23202W10
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- 制造商编号：
- CSD23202W10
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：13700
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.189677 | ￥6.19 |
| 10 | ￥4.840328 | ￥48.40 |
| 100 | ￥2.902958 | ￥290.30 |
| 500 | ￥2.688301 | ￥1344.15 |
| 1000 | ￥1.827936 | ￥1827.94 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导（Min） 5.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
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注
CSD23202W10品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD23202W10
数据手册PDF
。
CSD23202W10
型号：CSD23202W10
品牌：TI
供货：锐单
库存：13700 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.189677 |
| 10+： | ￥4.840328 |
| 100+： | ￥2.902958 |
| 500+： | ￥2.688301 |
| 1000+： | ￥1.827936 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.19