CSD23202W10
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CSD23202W10
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：16295
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.000706 | ￥7.00 |
| 10 | ￥5.400545 | ￥54.01 |
| 100 | ￥3.238899 | ￥323.89 |
| 500 | ￥2.998589 | ￥1499.29 |
| 1000 | ￥2.039064 | ￥2039.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导（Min） 5.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
CSD23202W10 同类别型号
注
CSD23202W10品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购CSD23202W10、查询CSD23202W10代理商；
CSD23202W10价格批发咨询客服；这里拥有
CSD23202W10中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD23202W10
替代型号
、CSD23202W10
数据手册PDF
。
CSD23202W10
型号：CSD23202W10
品牌：TI
供货：锐单
库存：16295 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.000706 |
| 10+： | ￥5.400545 |
| 100+： | ￥3.238899 |
| 500+： | ￥2.998589 |
| 1000+： | ￥2.039064 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.00