货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.882062 | ¥8646.19 |
6000 | ¥2.744811 | ¥16468.87 |
9000 | ¥2.618156 | ¥23563.40 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 530 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-GE3
单位重量 8 mg
购物车
0SI2325DS-T1-GE3
型号:SI2325DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.882062 |
6000+: | ¥2.744811 |
9000+: | ¥2.618156 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00