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IPW60R037CSFDXKSA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPW60R037CSFDXKSA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
HIGH POWER_NEW
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 88.234052 88.23
10 81.102713 811.03
100 68.498533 6849.85
500 60.934519 30467.26
1000 55.891683 55891.68

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 54 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 136 nC

耗散功率 245 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 6 ns

上升时间 30 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 196 ns

典型接通延迟时间 53 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPW60R037CSFD SP001927820

单位重量 6 g

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IPW60R037CSFDXKSA1

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型号:IPW60R037CSFDXKSA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥88.234052
10+: ¥81.102713
100+: ¥68.498533
500+: ¥60.934519
1000+: ¥55.891683

货期:1-2天

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