
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥72.145103 | ¥72.15 |
| 10 | ¥66.314121 | ¥663.14 |
| 100 | ¥56.008238 | ¥5600.82 |
| 500 | ¥49.823476 | ¥24911.74 |
| 1000 | ¥45.700171 | ¥45700.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 136 nC
耗散功率 245 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 196 ns
典型接通延迟时间 53 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R037CSFD SP001927820
单位重量 6 g
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0IPW60R037CSFDXKSA1
型号:IPW60R037CSFDXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥72.145103 |
| 10+: | ¥66.314121 |
| 100+: | ¥56.008238 |
| 500+: | ¥49.823476 |
| 1000+: | ¥45.700171 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥72.15