货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥88.234052 | ¥88.23 |
10 | ¥81.102713 | ¥811.03 |
100 | ¥68.498533 | ¥6849.85 |
500 | ¥60.934519 | ¥30467.26 |
1000 | ¥55.891683 | ¥55891.68 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 54 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 136 nC
耗散功率 245 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 196 ns
典型接通延迟时间 53 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW60R037CSFD SP001927820
单位重量 6 g
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0IPW60R037CSFDXKSA1
型号:IPW60R037CSFDXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥88.234052 |
10+: | ¥81.102713 |
100+: | ¥68.498533 |
500+: | ¥60.934519 |
1000+: | ¥55.891683 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥88.23