
货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.561749 | ¥1685.25 |
| 6000 | ¥0.499333 | ¥2996.00 |
| 9000 | ¥0.468124 | ¥4213.12 |
| 15000 | ¥0.450074 | ¥6751.11 |
| 21000 | ¥0.417029 | ¥8757.61 |
| 30000 | ¥0.401578 | ¥12047.34 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 420 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.9 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN53D0LW-7
型号:DMN53D0LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.561749 |
| 6000+: | ¥0.499333 |
| 9000+: | ¥0.468124 |
| 15000+: | ¥0.450074 |
| 21000+: | ¥0.417029 |
| 30000+: | ¥0.401578 |
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