货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.668548 | ¥2005.64 |
6000 | ¥0.620194 | ¥3721.16 |
9000 | ¥0.514355 | ¥4629.19 |
30000 | ¥0.505226 | ¥15156.78 |
75000 | ¥0.453734 | ¥34030.05 |
150000 | ¥0.393255 | ¥58988.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 420 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.9 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN53D0LW-7
型号:DMN53D0LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.668548 |
6000+: | ¥0.620194 |
9000+: | ¥0.514355 |
30000+: | ¥0.505226 |
75000+: | ¥0.453734 |
150000+: | ¥0.393255 |
货期:7-10天
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