货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.34794 | ¥5.35 |
10 | ¥4.533595 | ¥45.34 |
100 | ¥3.387434 | ¥338.74 |
500 | ¥2.661816 | ¥1330.91 |
1000 | ¥2.057012 | ¥2057.01 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0SI3417DV-T1-GE3
型号:SI3417DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.34794 |
10+: | ¥4.533595 |
100+: | ¥3.387434 |
500+: | ¥2.661816 |
1000+: | ¥2.057012 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.35