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SI2325DS-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI2325DS-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
渠道:
digikey

库存 :21002

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 12.082706 12.08
10 9.853012 98.53
100 7.661932 766.19
500 6.494268 3247.13
1000 5.290232 5290.23

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 150 V

漏极电流 530 mA

漏源电阻 1.2 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4.5 V

栅极电荷 7.7 nC

耗散功率 750 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 16 ns

典型接通延迟时间 7 ns

外形参数

高度 1.45 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-GE3

单位重量 8 mg

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SI2325DS-T1-GE3

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型号:SI2325DS-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:21002 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥12.082706
10+: ¥9.853012
100+: ¥7.661932
500+: ¥6.494268
1000+: ¥5.290232

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