货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.082706 | ¥12.08 |
10 | ¥9.853012 | ¥98.53 |
100 | ¥7.661932 | ¥766.19 |
500 | ¥6.494268 | ¥3247.13 |
1000 | ¥5.290232 | ¥5290.23 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 530 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2325DS-T1-GE3
型号:SI2325DS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.082706 |
10+: | ¥9.853012 |
100+: | ¥7.661932 |
500+: | ¥6.494268 |
1000+: | ¥5.290232 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.08