货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥3.483203 | ¥3.48 |
10 | ¥2.376043 | ¥23.76 |
100 | ¥1.160654 | ¥116.07 |
500 | ¥0.96833 | ¥484.17 |
1000 | ¥0.672881 | ¥672.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 420 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.9 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN53D0LW-7
型号:DMN53D0LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.483203 |
10+: | ¥2.376043 |
100+: | ¥1.160654 |
500+: | ¥0.96833 |
1000+: | ¥0.672881 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.48