货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥69.917063 | ¥69.92 |
10 | ¥63.166675 | ¥631.67 |
100 | ¥52.294311 | ¥5229.43 |
500 | ¥45.53727 | ¥22768.63 |
1000 | ¥40.062086 | ¥40062.09 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61.8 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 240 ns
典型接通延迟时间 90 ns
高度 20.95 mm
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK62N60X,S1F
型号:TK62N60X,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥69.917063 |
10+: | ¥63.166675 |
100+: | ¥52.294311 |
500+: | ¥45.53727 |
1000+: | ¥40.062086 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥69.92